
Home在6月16日报道说,韩国媒体The Bell在本月12日报道说,通往HBM市场的SK Hynix调整了下一代1C NM(6代10NM 10NM级别)的节奏(6世代10NM级别)内存内存内存内存内存列,并暂时适用于新的内存和临时技术。当前HBM HBM HBM3E的主要HBM产品和HBM4即将推出的HBM4均基于1B鼓工艺,1C过程将在未来的HBM4E中导入。 SK Hynix在HBM市场上以先前的产品建立了良好的声誉。由NVIDIA代表的AI芯片公司非常需要其HBM记忆。另一方面,HBM的盈利能力明显优于传统鼓。这是Whysk Hynix专注于扩大1B鼓容量的两个主要原因。 Home指出,SK Hynix是第一个在三个主要记忆制造商中完成1C NM DDR5开发的人,可提高11%的速度和9%能源效率的提高,但该公司被Micron捕获,并开发了1C NM LPDDR5X。